Browsing by Author "Борздов, В. М."

Now showing items 1-7 of 7

    • Моделирование методом Монте-Карло относительной величины паразитного туннельного тока в элементах флеш-памяти 

      Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. (БНТУ, 2023)
      В настоящей работе c помощью численного моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в короткоканальных МОП-транзисторах с плавающим затвором, лежащих в основе функционирования современных элементов флеш-памяти, рассмотрено влияние ряда конструктивно-технологических параметров данных транзисторов на величину паразитных токов, проникающих на плавающий затвор. Показано, ...
      2023-12-21

    • Моделирование обратной ветви вольтамерной характеристики кремниевого диода многочастичным методом Монте-Карло 

      Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В.; Петлицкий, А. Н. (БНТУ, 2020)
      Моделирование обратной ветви вольтамерной характеристики кремниевого диода многочастичным методом Монте-Карло / А. В. Борздов [и др.] // Приборостроение-2020 : материалы 13-й Международной научно-технической конференции, 18–20 ноября 2020 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2020. – С. 242-244.
      2021-02-09

    • Моделирование плотности тока в короткоканальных моп-транзисторах 

      Жевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В. (БНТУ, 2021)
      На основе метода Монте-Карло проведено моделирование электронного переноса в короткоканальных кремниевых МОП-транзисторах с мелким и глубоким стоком. Рассчитаны плотности электронного тока в данных транзисторах. Показано, что в структурах с мелким стоком электронный ток протекает в узком приповерхностном слое, что может способствовать появлению высоких паразитных токов.
      2022-02-02

    • Моделирование флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде с p-n переходом 

      Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В. (БНТУ, 2018)
      Борздов, А. В. Моделирование флуктуаций плотности тока в субмикронном кремниевом диоде с p-n переходом / А. В. Борздов, В. М. Борздов, П. В. Кучинский // Приборостроение-2018 : материалы 11-й Международной научно-технической конференции, 14-16 ноября 2018 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2018. – С. 249-250.
      2019-04-25

    • Моделирование фотоотклика субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излучения 

      Борздов, А. В.; Борздов, В. М. (БНТУ, 2017)
      Борздов, А. В. Моделирование фотоотклика субмикронного КНИ-МОП-транзистора при воздействии пикосекундного лазерного излучения / А. В. Борздов, В. М. Борздов // Приборостроение - 2017 : материалы 10-й Международной научно-технической конференции, 1-3 ноября 2017 года, Минск, Республика Беларусь / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. - ...
      2018-02-09

    • Моделирование электрических и шумовых характеристик субмикронного кремниевого диода с n+-p переходом многочастичным методом Монте-карло 

      Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В. (БНТУ, 2019)
      Борздов, А. В. Моделирование электрических и шумовых характеристик субмикронного кремниевого диода с n+-p переходом многочастичным методом Монте-карло / А. В. Борздов, В. М. Борздов, П. В. Кучинский // Приборостроение-2019 : материалы 12-й Международной научно-технической конференции, 13–15 ноября 2019 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. ...
      2020-01-03

    • Спектральная плотность токовых флуктуаций в субмикронном кремниевом диоде 

      Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В.; Сперанский, Д. С. (БНТУ, 2016)
      Спектральная плотность токовых флуктуаций в субмикронном кремниевом диоде / Борздов А. В. [и др.] // Приборостроение-2016 : материалы 9-й международной научно-технической конференции, Минск, 23-25 ноября 2016 г. / Белорусский национальный технический университет ; редкол.: О. К. Гусев [и др.]. – Минск, 2016. – С. 272-274.
      2017-03-27